高溫四探針綜合測(cè)試系統(tǒng)（包含薄膜，塊體功能）是為了更方便的研究在高溫條件下的半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能，該系統(tǒng)可以*實(shí)現(xiàn)在高溫、真空及惰性氣氛條件下測(cè)量硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率和外延層、擴(kuò)散層和離子層的方塊電阻及測(cè)量其他方塊電阻。
 

　　高溫四探針綜合測(cè)試系統(tǒng)符合的標(biāo)準(zhǔn)：
 

　　1、符合GB/T 1551-2009《硅單晶電阻率測(cè)定方法》
 

　　2、符合GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針法》
 

　　最后我們來了解一下高溫四探針綜合測(cè)試系統(tǒng)的應(yīng)用：
 

　　1、測(cè)試硅類半導(dǎo)體、金屬、導(dǎo)電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻；
 

　　2、可測(cè)柔性材料導(dǎo)電薄膜電阻率/方阻；
 

　　3、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜（ITO膜）電阻率/方阻；
 

　　4、納米涂層等半導(dǎo)體材料的電阻率/方阻；
 

　　5、電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低、中值電阻以及開關(guān)類接觸電阻進(jìn)行測(cè)量；
 

　　6、可測(cè)試電池極片等箔上涂層電阻率方阻。